중국 메모리 반도체 기업 창신메모리(CXMT)가 기존 셀 면적을 이론상 3분의 1 줄이는 새 아키텍처 4F²를 적용한 차세대 메모리 모듈을 연내 출시한다고 밝혔다. 메모리 셀을 작게 만들려면 트랜지스터를 수평이 아닌 수직으로 배치하는 등 기술 돌파구가 필요했다. 4F² 아키텍처는 트랜지스터를 수직으로 쌓는 설계로 상용 D램 칩에 널리 쓰이는 6F² 아키텍처보다 메모리 셀 면적이 작다. 셀 면적만 놓고 … 中 CXMT “4F² 서버용 DRAM 연내 출시한다” 계속 읽기