중국 메모리 반도체 기업 창신메모리(CXMT)가 기존 셀 면적을 이론상 3분의 1 줄이는 새 아키텍처 4F²를 적용한 차세대 메모리 모듈을 연내 출시한다고 밝혔다.
메모리 셀을 작게 만들려면 트랜지스터를 수평이 아닌 수직으로 배치하는 등 기술 돌파구가 필요했다. 4F² 아키텍처는 트랜지스터를 수직으로 쌓는 설계로 상용 D램 칩에 널리 쓰이는 6F² 아키텍처보다 메모리 셀 면적이 작다. 셀 면적만 놓고 보면 셀 하나 크기가 3분의 1 줄어 이론적으로 전체 셀을 50% 더 넣을 수 있다.
창신메모리는 이 기술을 연구하며 업계 최고 수준인 특허 300건 이상을 출원했고 2021년과 2023년, 2025년 논문을 발표했다. 삼성전자와 SK하이닉스도 수직형 트랜지스터를 개발하고 있지만 삼성전자조차 양산 체제 목표 시점을 2028년으로 잡고 있어 창신메모리가 2년 앞선 셈이다.
이번 발표 이후 삼성전자와 SK하이닉스 주가는 7% 넘게 급락했다. 마이크론(Micron) 주가도 4% 떨어졌다.
◇ 첫 제품은 서버용 DDR5 RDIMM=차오칸위(曹堪宇) 창신메모리 사장은 4F² 아키텍처 1세대 제품으로 DDR5 RDIMM(레지스터드 듀얼 인라인 메모리 모듈)을 내놓겠다고 밝혔다. 이 기술로 서버 메모리 분야 기술·공학적 병목을 풀겠다는 구상이다.
중국 매체 보도에 따르면 창신메모리는 서버용 메모리 시장에서 해외 업체 우위가 뚜렷해 그동안 가전 시장에 집중해 왔다.
또 다른 보도에선 창신메모리가 그동안 주력해 온 저전력 D램이 아니라 서버용 D램에 이 기술을 먼저 적용하기로 한 건 한국 반도체 기업에 정면으로 도전하겠다는 뜻이라고 밝혔다.
일부 분석가는 양산을 연내 시작하더라도 양산 체제가 안정되기까지는 상당한 시간이 걸릴 것으로 보고 있다. 관련 내용은 이곳에서 확인할 수 있다.
![[DailyRecipe] 막 오른 넥스트라이즈2026…올해 특징은?](https://i0.wp.com/startuprecipe.co.kr/wp-content/uploads/2026/06/260618_nextrise_ai_0023052050235235.jpg?resize=350%2C250&ssl=1)
![[AI서머리] 2차 모창 1라운드 진출자 1만 명 선발‧나주형 청년 에너지 창업 사관학교 참가기업 모집](https://i0.wp.com/startuprecipe.co.kr/wp-content/uploads/2026/10/261015_daegu_002300235_slimpic.webp?resize=75%2C75&ssl=1)
